靶材制約著濺鍍薄膜的物理，力學性能，影響鍍膜質量，因而要求靶材的制備應滿足以下要求：
　　1、純度：要求雜質含量低純度高，靶材的純度影響薄膜的均勻性，以純Al靶為例，純度越高，濺射Al膜的耐蝕性及電學、光學性能越好。不過不同用途的靶材對純度要求也不同，一般工業用靶材純度要求不高，但就半導體、顯示器件等領域用靶材對純度要求是十分嚴格的，磁性薄膜用靶材對純度的要求一般為99.9%以上，ITO中的氧化銦以及氧化錫的純度則要求不低于99.99%。
　　2、雜質含量：靶材作為濺射中的陰極源，固體中的雜質和氣孔中的O2和H2O是沉積薄膜的主要污染源，不同用途的靶材對單個雜質含量的要求也不同，如：半導體電極布線用的W，Mo，Ti等靶材對U，Th等放射性元素的含量要求低于3*10-9，光盤反射膜用的Al合金靶材則要求O2的含量低于2*10-4。
　　3、高致密度：為了減少靶材中的氣孔，提高薄膜的性能一般要求靶材具有較高的致密度，靶材的致密度不僅影響濺射時的沉積速率、濺射膜粒子的密度和放電現象等，還影響濺射薄膜的電學和光學性能。致密性越好，濺射膜粒子的密度越低，放電現象越弱。高致密度靶材具有導電、導熱性好，強度高等優點，使用這種靶材鍍膜，濺射功率小，成膜速率高，薄膜不易開裂，靶材的使用壽命長，且濺鍍薄膜的電阻率低，透光率高。靶材的致密度主要取決于制備工藝。一般而言，鑄造靶材的致密度高而燒結靶材的致密度相對較低，因此提高靶材的致密度是燒結制備靶材的技術關鍵之一。
　　4、成分與組織結構均勻，靶材成分均勻是鍍膜質量穩定的重要保證，尤其是對于復相結構的合金靶材和混合靶材。如ITO，為了保證膜質量，要求靶中In2O3-SnO2組成均勻，都為93:7或91:9（分子比）。
　　5、晶粒尺寸細小，靶材的晶粒尺寸越細小，濺鍍薄膜的厚度分布越均勻，濺射速率越快。我公司生產的靶材具有高密度、高純度、高加工精度、晶粒細小、組織均勻等優點。