鎢靶材經常作為物理氣相沉積用濺射靶材，在半導體領域用于制作柵電極、連接布線、擴散阻擋層等。鎢靶材主要應用于航天、稀土冶煉、電光源、化工設備、醫療器械、冶金機械、熔煉設備、石油、等領域。
　　其中，純鎢靶材主要用作金屬層間的通孔和垂直接觸的接觸孔的填充物，即鎢塞。而鎢合金靶材，如WSi2，主要用在柵極多晶硅的上部作為多晶硅硅化物結構和局部互聯線。隨著半導體芯片尺寸越來越小，銅互連尺寸的縮小導致納米尺度上電阻率的增加，這已成為制約半導體工業發展的一個技術瓶頸。有研究表明，難熔金屬鎢有望取代銅成為下一代的半導體布線金屬材料。
　　特點
　　噴涂、燒結后的鎢靶，具有99%的密度甚至更高、平均透明紋理的直徑為100um甚至更小、含氧20ppm或更少，偏轉角力為500Mpa左右的特性；提高未加工金屬粉末的生產，提高燒結的能力，可以使鎢靶的成本穩定在一個低價位。燒結后的鎢靶密度高，具有傳統的壓制燒結方法所無法達到的高水準的透明框架，并且明顯改善了偏轉角力，以致顆粒物顯著的減少。
　　物理性質
　　元素符號：W
　　原子序數：74
　　穩定同位素及其所占%：180(0.14)；182(26.41)；183(14.40)；184(30.64)；186(28.41)
　　相對原子質量：183.85
　　自由原子的電子層結構：1s22s22p63s23p63d104s24p64d104f145s25P65d46S2
　　原子體積：9.53 cm3/mol
　　密度：19.35 g/cm3
　　晶體結構及晶格常數： α-W：體心立方a=3.16524 nm（25℃）
　　β-W：立方晶格a=5.046 nm（630℃以下穩定）
　　熔點：3410±20℃
　　沸點：5927℃
　　熔化潛熱：40.13±6.67kJ/mol
　　升華熱：847.8 kJ/mol(25℃)
　　蒸發熱：823.85±20.9kJ/mol(沸點)
　　電阻溫度系數：0.00482 I/℃
　　電子逸出功：4.55 eV
　　熱中子俘獲面：19.2 b
　　彈性模量：35000~38000 MPa(絲材)
　　扭力模量： ～36000Mpa
　　體積模量：3.108×1011－1.579×107t+0.344×103t2 Pa
　　剪切模量：4.103×1011－3.489×107t+7.55×103t2 Pa
　　壓縮性：2.910－7 cm/kg
　　鎢有兩種變型，α和β。在標準溫度和常壓下，α型是穩定的體心立方結構。β型鎢只有在有氧存在的條件下才能出現。它在630℃以下是穩定的，在630℃以上又轉化為α鎢，并且這一過程是不可逆的。
　　純度：鎢99.95%以上
　　密度：19.35g/cm3
　　表面狀態：磨光或堿洗